一、光刻曝光技術(shù)的主要流程及每個(gè)步驟的意義
光刻工藝主要步驟
1. 基片前處理
為確保光刻膠能和晶圓表面很好粘貼，形成平滑且結(jié)合得很好的膜，必須進(jìn)行表面準(zhǔn)備，保持表面干燥且干凈，
2. 涂光刻膠
涂膠的目標(biāo)是在晶圓表面建立薄的、均勻的，并且沒有缺陷的光刻膠膜。
3. 前烘(軟烘焙)
前烘的目的是去除膠層內(nèi)的溶劑，提高光刻膠與襯底的粘附力及膠膜的機(jī)械擦傷能力。
4. 對準(zhǔn)和曝光(A＆E)
保證器件和電路正常工作的決定性因素是圖形的準(zhǔn)確對準(zhǔn)，以及光刻膠上精確的圖形尺寸的形成。所以，涂好光刻膠后，第一步是把所需圖形在晶圓表面上準(zhǔn)確定位或?qū)?zhǔn)。第二步是通過曝光將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠涂層上。
5. 顯影
顯影是指把掩膜版圖案復(fù)制到光刻膠上。
6. 后烘(堅(jiān)膜)
經(jīng)顯影以后的膠膜發(fā)生了軟化、膨脹，膠膜與硅片表面粘附力下降。為了保證下一道刻蝕工序能順利進(jìn)行，使光刻膠和晶圓表面更好地粘結(jié)，必須繼續(xù)蒸發(fā)溶劑以固化光刻膠。
7. 刻蝕
刻蝕是通過光刻膠暴露區(qū)域來去掉晶圓最表層的工藝，主要目標(biāo)是將光刻掩膜版上的圖案精確地轉(zhuǎn)移到晶圓表面。
8. 去除光刻膠
刻蝕之后，圖案成為晶圓最表層永久的一部分。作為刻蝕阻擋層的光刻膠層不再需要了，必須從表面去掉。
二、光刻曝光技術(shù)的主要流程及每個(gè)步驟的意義
光刻工藝主要步驟
1. 基片前處理
為確保光刻膠能和晶圓表面很好粘貼，形成平滑且結(jié)合得很好的膜，必須進(jìn)行表面準(zhǔn)備，保持表面干燥且干凈，
2. 涂光刻膠
涂膠的目標(biāo)是在晶圓表面建立薄的、均勻的，并且沒有缺陷的光刻膠膜。
3. 前烘(軟烘焙)
前烘的目的是去除膠層內(nèi)的溶劑，提高光刻膠與襯底的粘附力及膠膜的機(jī)械擦傷能力。
4. 對準(zhǔn)和曝光(A＆E)
保證器件和電路正常工作的決定性因素是圖形的準(zhǔn)確對準(zhǔn)，以及光刻膠上精確的圖形尺寸的形成。所以，涂好光刻膠后，第一步是把所需圖形在晶圓表面上準(zhǔn)確定位或?qū)?zhǔn)。第二步是通過曝光將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠涂層上。
5. 顯影
顯影是指把掩膜版圖案復(fù)制到光刻膠上。
6. 后烘(堅(jiān)膜)
經(jīng)顯影以后的膠膜發(fā)生了軟化、膨脹，膠膜與硅片表面粘附力下降。為了保證下一道刻蝕工序能順利進(jìn)行，使光刻膠和晶圓表面更好地粘結(jié)，必須繼續(xù)蒸發(fā)溶劑以固化光刻膠。
7. 刻蝕
刻蝕是通過光刻膠暴露區(qū)域來去掉晶圓最表層的工藝，主要目標(biāo)是將光刻掩膜版上的圖案精確地轉(zhuǎn)移到晶圓表面。
8. 去除光刻膠
刻蝕之后，圖案成為晶圓最表層永久的一部分。作為刻蝕阻擋層的光刻膠層不再需要了，必須從表面去掉。
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